NTLJS3113PT1G的技术参数
出处:missgao 发布于:2007-04-18 14:37:54
源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):40
漏极电流Id(on)(A):-9.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET
价格/1片(套):¥3.20
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