新工艺运放面向高压工业应用

出处:赤铸 发布于:2007-04-20 09:16:45

高电压工业环境对高运算放大器的性能要求苛刻,德州仪器(TI)为此推出OPA211和OPA82两款放大器。它们与业界同类36V放大器相比,均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸和高带宽,适合于测试测量、仪表、影像、医疗、音频和过程控制等应用。这两款放大器是采用TI公司独创的BiCom3HV“互双极36V硅锗(SiGe)”工艺开发的首批器件。
  OPA211(见图1)是双极输入运算放大器,仅需3.6mA电源电流即可实现1.1nV/√Hz电压噪声和80MHz增益带宽(GBW)。该器件具有 100mV失调电压,0.2mV/℃失调电压漂移和低于1ms的建立时间,非常适合于驱动数据采集系统中的高模数转换器。此外,该器件还支持轨至轨输出振幅,从而扩大了动态范围。OPA211工作电源电压范围为±2.25V~±18V,采用8引脚MSOP封装或8引脚DFN封装。3mm×3mm DFN封装面积仅为标准8引脚SO封装的三分之一。

OPA211是双极输入运算放大器


  OPA827(见图2)是JFET输入运算放大器,它结合了的DC和AC性能。其中DC性能为4.5nV/√Hz电压噪声,250mV失调电压,1mV/℃失调电压漂移

以及400nVPP频率噪声。AC性能为18MHz GBW,22V/ms电压摆率和在1kHz频率条件下具有0.0004%总谐波失真(THD)。OPA827的工作电源电压范围为±4V~±18V,电源电流只需4.5mA。该器件采用8引脚MSOP封装,与8引脚SO封装相比占用面积减少了一半。

OPA827是JFET输入运算放大器


  BiCom3HV工艺率先采用硅锗技术的36V工艺,实现了高速度、低噪声、低功耗等特性,可满足未来高电压工业应用的需求。该工艺引入硅绝缘体(SOI)技术缩小了晶体管尺寸,从而TI晶体管尺寸仅为采用工艺技术的同类产品的1/11。SOI还具有其它优势,例如低泄漏电流和更小晶体管间影响。BiCom3HV工艺非常适合于新一代工业电压运算放大器(双极输入和FET输入)、仪表放大器、可编程增益放大器和高参考。


  

上一篇:可控硅

下一篇:13.2A 50mW的带通SD ADC

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:

扫码下载APP,
一键连接广大的电子世界。

在线人工客服

买家服务:
卖家服务:

0571-85317607

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30

关注官方微信号,
第一时间获取资讯。

建议反馈

联系人:

联系方式:

按住滑块,拖拽到最右边
>>
感谢您向阿库提出的宝贵意见,您的参与是维库提升服务的动力!意见一经采纳,将有感恩红包奉上哦!