单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数

　　一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT（AV）

　　在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。

　　二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）

　　在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。

　　三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT

　　在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。

　　四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT

　　在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。

　　五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV

　　在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。

　　六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV

　　在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。

　　七、单向可控硅参数_维持电压IH

　　在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。

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