Vishay发布新系列半桥IGBT模块,包含八个600V及1200V器件
出处:droneduck 发布于:2008-06-02 13:44:06
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。
日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同IGBT技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT) IGBT技术,而GA200TS60UPbF,GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。
GB100TS60NPbF,GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第5代非穿通(NPT)技术,可实现10μs短路功能的额外优势。
该GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF是专为高达1kHz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个IGBT是与用于桥配置的HEXFRED超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8kHz~60kHz的高工作频率,在共振模式下可实现200kHz以上的工作频率。
Vishay新型IGBT系列具有75A~200A的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。对于输出逆变器TIG焊机应用,这些IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中的Vce(on) .
这些新型IGBT无铅(Pb),并且可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 使用 GaN IC 离线电源的大容量电容器优化2024/4/24 17:30:57
- 并联电压电池2024/4/23 17:45:00
- 运算放大器压摆率和上升时间解释2024/4/22 16:16:53
- B 类放大器的组成及其特性概述2024/4/16 17:22:23
- GaN 基高频 LLC 谐振转换器的设计注意事项2024/4/15 17:21:58