IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFE...
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
分类：电源技术 时间：2023-12-25 阅读：521
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
本应用笔记介绍了在开关模式电源电路中运行的 IGBT 的数值算法，以确定其损耗。该设计示例使用经过测试和分析的 600 W 零电流开关升压 PFC（功率因数校正）电路，以准确预测从工作电路获得的损耗。预测损耗逐项列出...
第一部分 选型及注意事项 1、电压规格??器件上所承受的最高电压要小于器件的额定电压2、电流规格??一般使用的ICmax≦IC(nom)*70%3、电路结构??由电气方案决定电路结构，然后选择合适的模块以符合电路结构4、封装??需...
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有...
分类：元器件应用 时间：2023-05-19 阅读：62
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能...
1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构...
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和...
IGBT等效电路如所示。由可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP...
Toshiba - 东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件经过业...
分类：元器件应用 时间：2023-03-25 阅读：437
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断...
分类：元器件应用 时间：2022-12-23 阅读：466 关键词：IGBT模块,续流二极管
随着新能源汽车的发展，高性能的电动汽车在市场上有较好的需求，特斯拉的Model3电机功率达到220kW，蔚来的ES6电机功率达到160kW。 为了满足对大功率电机的高性能控制，需要不断地提升电驱系统的功率密度。在电...
IDC 谏早电子开发IGBT适配器单元VLB520-01R, 可使用在薄型Duel配置IGBT模块, 改善并联使用效能。
谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。 产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻...
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