IGBT，全称为 Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管），它是一种由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的功率半导体器件。其输入极采用 MOSFET 结构，输出极...
绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为一种具备高输入阻抗和高开关速度的功率半导体器件，在电力电子领域中得到了广泛应用，诸如变频器、逆变器以及电动机驱动等场景。IGBT 的驱动方式对其开关特性、效率以及可靠性等方面有...
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOS...
R 课堂：全面剖析 IGBT IPM 热关断保护功能（TSD）
在电力电子设备的运行过程中，温度控制是保障设备稳定性和可靠性的关键因素之一。IGBT IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块）作为一种重要的电力电子器件，其热关...
IGBT 正弦波调光器作为一种先进的调光设备，凭借其独特的工作原理和显著优势，在众多领域得到了广泛应用。 IGBT 正弦波调光器工作原理 IGBT 正弦波调光器主要基于 IG...
分类：元器件应用 时间：2025-05-09 阅读：459 关键词：IGBT 正弦波调光器
不间断电源（UPS）的光伏（PV）逆变器是离散IGBT的最受欢迎的应用之一。该应用程序具有更高的功率因数（PF）操作条件（PF1.0），较小的快速恢复二极管（FRD）可以提供更好...
分类：电源技术 时间：2025-03-14 阅读：287
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用于电力电子领域的功率半导体器件，在变频器、电机驱动、电力变换等应用中有广泛的应用。由于IGBT在工作时会承受较高的电流和电压，短路保护对其工作安全至关重要。IGBT的短路保...
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前...
分类：电子测量 时间：2024-09-05 阅读：285 关键词：IGBT
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17...
区分电极 在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的特点，能够实现高电压...
下面以FGA25N120型IGBT为例，介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT，它有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C亦称漏极）及发射...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFE...
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
分类：元器件应用 时间：2023-10-10 阅读：963 关键词：MOSFET
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
分类：元器件应用 时间：2023-10-08 阅读：646 关键词：IGBT
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
