传统射频放大器使用分立晶体管有源器件，主要原因是器件价格低廉。而随着运放性能的提高和批量应用的推动，射频放大器采用运放已成大势所趋。相对于分立晶体管，高速运放确实有其长处：首先，前者构成的放大器，其增益和带宽与晶体管的偏流和工作点关系很大，调整起来相对困难；而运放的增益是不受偏置影响的。其次，运放还能减少工作温度范围内的参数漂移，使工作更可靠和稳定。

　　运放是运算放大器的简称。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。由于早期应用于模拟计算机中，用以实现数学运算，故得名“运算放大器”，此名称一直延续至今。运放是一个从功能的角度命名的电路单元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展，如今绝大部分的运放是以单片的形式存在。现今运放的种类繁多，广泛应用于几乎所有的行业当中。

　　射频功率放大器（RF PA）是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。

　　射频功率放大器的工作频率很高，但相对频带较窄，射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放大器可以按照电流导通角的不同，分为甲（A）、乙（B）、丙（C）三类工作状态。甲类放大器电流的导通角为360°，适用于小信号低功率放大，乙类放大器电流的导通角等于180°，丙类放大器电流的导通角则小于180°。乙类和丙类都适用于大功率工作状态，丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中的。射频功率放大器大多工作于丙类，但丙类放大器的电流波形失真太大，只能用于采用调谐回路作为负载谐振功率放大。由于调谐回路具有滤波能力，回路电流与电压仍然接近于正弦波形，失真很小。

　　运放可分为电压反馈式（VFB）和电流反馈式（CFB）两种。在实际应用中，大量使用的是VFB运放，但在射频放大器应用中，CFB运放具有更出色的性能。VFB运放的增益一带宽积是恒定的，增益受到带宽的限制；CFB运放在接近频率处仍有较高的增益。例如，VFB运放THS4001开环带宽（-3dB）为270MHz，增益为100（20dB）时可用带宽仅为10MHz；而CFB运放THS3001开环带宽（-3dB）为420MHz，增益100时可用带宽可达150MHz。

　　当然，射频设计者还要了解CFB运放的一些特点：

　　·放大器用运放的内部构造有所不同，但构成放大器的基本拓扑没有改变。

　　·CFB运放数据表推荐的反馈电阻RF值应严格遵守，增益应用RG来调整。

　　·反馈环中不能有电容存在。

　　放大器的基本拓扑和参数

　　CFB运放射频放大器的基本拓扑仍是反馈放大器结构，有同相放大器和反相放大器两种形式。另一方面，对射频电路而言，要特别关注输入端与输出端的阻抗匹配问题，系统常用50Ω电缆连接，由于运放的输入阻抗高，因而输入端并接一个50Ω电阻；在输出端，运放输出阻抗低，故而串接了一个50Ω电阻。这样，同相放大器就如图1所示。

　　射频电路性能通常用4个散射（S）参数来表征。术语“散射”隐含着损耗的意思。反射，即散射参数S11与S12会减少有用的信号，反向传输S12从负载处返回输出功率，只有正传输S21是有用的散射参数。设计射频电路就是要减少S11、S22与S12而提高S21。射频放大器小信号交流参数可从S参数推得，两者的关系见表1，这些指标是频率依赖的。

　　输入与输出电压驻波比（VSWR）是个比值，因而是一个无单位量，它是输入、输出阻抗与源阻抗、负载阻抗匹配的度量，为了避免反射应尽可能地匹配。VSWR定义为：

　　VSWR翻译为电压驻波比（Voltage Standing Wave Ratio），一般简称驻波比。 电磁波从甲介质传导到乙介质，会由于介质不同，电磁波的能量会有一部分被反射，从而在甲区域形成“行驻波”。 电压驻波比，指的就是行驻波的电压峰值与电压谷值之比，此值可以通过反射系数的模值计算： VSWR=（1+反射系数模值）/（1-反射系数模值）。 而入射波能量与反射波能量的比值为 1：（反射系数模的平方） 由上可知，驻波比越大，反射功率越高，传输效率越低。

　　VSWR=Z（I/O）/ZS或ZS/Z（I/O）

　　理想的VSWR等于1：1，然而典型的VSWR在工作频率范围内不会好于1.5：1。运放的输入、输出阻抗是设计者选择的外部元件确定的，因此运放的数据表并未对VSWR作出规定。回波损耗—该值与VSWR的关系为：

　　回波损耗 =20log（VSWR+1）/（VSWR-1）

　　=10log（s11）2（输入）

　　=10log（S22）2（输出）

　　由于输出阻抗在射频处不是与ZL完全匹配的，它随环增益减少而逐渐增大，因而RO并联了一个电容进行补偿。

　　正向传输S21是由输入电阻RG和反馈电阻RF确定的，对同相型运放S21表示为：

　　S21=AL=1/2（1+RF/RG）

　　注意，输出端增加了一个串联电阻，电压分压使增益降低了一半。对射频放大，常用功率增益来表示：

　　PO（dBm）=10log（功率/0.001W）

　　dBm=dBV+13（50Ω终端电阻）

　　反向传输S12表示输入与输出的隔离度，CFB射频运放的隔离度相当不错，尤其是同相型放大器，它的反馈连接在反相端，使隔离更佳。

　　相位线性度—设计者常常关心RF电路的相位响应，CFB放大器的相位线性度比VFB型放大器好，如：

　　VFB THS4001的差分相移为0.15°

　　CFB THS3001的差分相移为0.02°

　　频率响应平坦度——CFB放大器可通过微调电阻（见图1倒相端串联的电阻）来调整频响的平坦度而不会影响正向增益。再加上微调电阻后，RF和RG值要相应地减少，但它们的比值保持不变，因而增益也保持不变。

　　-1dB压缩点—-1dB压缩点定义为：在固定频率下，放大器实际功率比预期值少1dB，换句话说，放大器增益比低功率下降低了1dB。-1dB压缩点是射频设计者对电压轨值的一种表述。射频设计者更关注增益的化，轻微的嵌位是允许的，只要产生的谐波在相关法规的范围内，于是确定了-1dB压缩点。

　　标准交流耦合RF放大器在工作频率范围内显示出相对恒定的-1dB压缩点。在低频下，增加固定频率的功率终会将输出驱动至轨值，即VOM指标；在高频下，运放会受到转换速率的限制，由于输出使用了匹配电阻，转换速率也降低了一半。

　　双频三次谐波互调制截距——在RF带宽内，当两个空间相近的信号被放大时就会产生和频与差频，这些信号是互调制谐波，主要问题是这些谐波幅度的增长是基频的3倍。理论上，一个系统初始基频信号在0dBm水平，互调制谐波在-60dBm，当基频幅度增加时，谐波以3倍于基频的速度增长，终在+30dBm处相交。典型的RF电路不会调整至+30dBm，因而3次互调制截距是理论上的，互调制截距越大越好。

　　噪声值—当运放作为有源器件时，RF噪声值与运放噪声是一回事。运放RF电路的噪声与增益和带宽有关。噪声谱密度如图2所示。此外，带宽越窄，噪声越低，见表2。

　　结语

　　如果价格可以接受的话，运放，特别是CFB运放非常适合射频设计。运放高频放大器的偏置与增益和终端无关，调整方便，工作稳定、可靠。此外，运放射频放大器有良好的散射参数，由于终端效应和匹配可独立控制，因而输入和输出VSWR较小；运放由成百个晶体管组成，隔离效果很好；CFB运放的正向增益不受增益/带宽积限制，有较高的增益。运放射频放大器的增益平坦度、-1dB压缩点、互调制截距和噪声都要比分立晶体管放大器略胜一筹。