三极管在电路中常用字母“Q”、“Ⅴ”或“VT”加数字表示，符号如图1所示。

图1 几种三极管的电路符号

　　1  国产三极管型号的命名方法

　　国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分组成如图2所示，各部分的含义如表1所示。

图2 国产三极管型号组成

表1 国产三极管的型号命名及含义

　　例如：

　　①三极管3AD50C表示锗材料PNP型低频大功率三极管，如图3（a）所示；

　　②三极管3DG201B表示硅材料NPN型高频小功率三极管，如图3（b）所示。

图3 三极管型号命名方法示意图

　　2  国外三极管型号的命名方法

　　2.1 日本半导体器件型号命名法

　　（1）型号中的部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。

　　（2）第二部分均为字母s，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

　　（3）第三部分表示极性和类型。例如，用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

　　（4）第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680的额定耗散功率为⒛0mW，而2SC2681的额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。

　　（5）第六、第七两部分的符号和含义各公司不完全相同。

　　（6）日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。 例如， 2SD764简化为D764， 2SC502A简化为 C502A。

　　（7）在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率为100MHz，所以，它们也可当高频管用。

　　（8）日本通常把PCM＞1 W的管子，称做大功率管。

　　例如，2SA495的含义如下。

　　2.2 美国晶体管型号命名法

　　（1）型号命名法规定较早，又未做过改进，型号内容很不完备。对于材料、极性、主要特J跬和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。

　　（2）组成型号的部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。

　　（3）除去前缀以外，凡型号以1 N、2N或3N·……开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国在其他国家制造的产品。

　　（4）第四部分的数字只表示登记序号，而不含其他意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。

　　（5）不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。

　　（6）登记序号数大的通常是近期产品。

　　例如，JAN2325 1 A和JAN2N2904的含义如下。