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FDD6696

更新时间:2024-09-25 01:30:12
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FDD6696外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1715pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:带卷 (TR)
FDD6696 相关信息
  • 大功率CPU核心电压供电电路的设计
    ...为10V时(正常工作状态),RDS(ON),为6.2mΩ,额定VDDS为30V。对高端的MOSFET而言,门电荷Qg也是重要的考虑因素,要求其越低越好,否则会影响开关速度进而影响功耗。因此在每相高端都使用了一个FDD6696,其导通电流为50A,在VGS为lOV时,RDS(ON)为8.0mΩ,额定VDDS为30V,门电荷为17nC,可以完令满足没计的要求。3.2 输出电感的选择输出电感有3个主要指标,电感量L、额定电流值Irated和...
  • 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择
    ...换器电路如图7所示。现使用条件:VIN=VCC=12V(VCC是供控制器及驱动器的工作电压),VOUT=1.5V,IO=65A(IO即IOUT(max)),fsw=228kHz,选择开关管及同步整流管(采用两个并联组成)。 初选快速开关管FDD6696为开关管(其Qg为17nC),同步整流管选FDD6682(其RDS(on)=11.9mΩ)。其主要参数如表4所示。 开关管传导损耗PC(MF)计算 PC(MF)=D[(IO/nMF)2+1/12(n×IR/nMF)2]×RDS(on) 式中D为占...
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