FDFMA2P029Z
334420
WDFN6/2025+
国产南科兼容替代
FDFMA2P029Z
7332
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
FDFMA2P029Z
83121
MicroFET6/24+
专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持
FDFMA2P029Z
35000
MLP6/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
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20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
FDFMA2P029Z
3000
WDFN6/2025+
ON原装进口/支持订货
FDFMA2P029Z
48000
MLP6/24+
原装现货,可开专票,提供账期服务
FDFMA2P029Z
20000
TQFP/2024+
17%原装.深圳送货
FDFMA2P029Z
41101
MLP6/-
大量现货,提供一站式配单服务
FDFMA2P029Z
15600
MicroFET 2x2/2025+
原装优势有货
FDFMA2P029Z
60000
QFN/25+
只做自己原装现货,10年保证
FDFMA2P029Z
686868
WDFN6/2025+
南科国产替代
FDFMA2P029Z
5000
MLP6/23+
优势产品大量库存原装现货
FDFMA2P029Z
6000
MLP 2 x 2/-
只供原装,欢迎咨询
FDFMA2P029Z
57514
MLP6/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
FDFMA2P029Z
25000
MLP6/22+
只有原装原装,支持BOM配单
FDFMA2P029Z
105000
DFN20206/23+
十年配单,只做原装
FDFMA2P029Z
8287
SSCP/24+
原厂原装现货
FDFMA2P029Z
80000
MLP6/2023+
一级代理,原厂排单到货,可开原型号13%专用发票
FDFMA2P029Z
8700
MLP6/2023+
原装现货
能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草
气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内
应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内
的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内