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Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品
能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货交货期:收到订单后12周内来源:小草

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气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用
应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。供货：现货交货期：收到订单后12周内
飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品
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飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性
和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
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电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。供货：现货交货期：收到订单后12周内

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