510000
QFN/23+
优势产品大量库存原装现货
FDFMA2P853
8921000
DFN20206/-
一级代理现货 专注电子元件十三年,只做原装现货
FDFMA2P853
2
QFN6/19+
原装现货,假一赔十
FDFMA2P853
72600
QFN6/20+
原装现货可供更多
FDFMA2P853
60000
DFN2X26/23+
1比1质量台湾芯片/包上机可供更多
FDFMA2P853
5500
-/18+
原装现货,有意请来电或QQ洽谈
FDFMA2P853
8098
QFN/7
只做原装,也只有原装
FDFMA2P853
81
07+/QFN
全新原装
FDFMA2P853
8860
DFN20206/22+
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者
FDFMA2P853
6000
-/23+
专注电子元件十年,只做原装现货
FDFMA2P853
20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
FDFMA2P853
9800
QFN/22+
只做原装假一赔十正规渠道订货
FDFMA2P853
31500
QFN/24+
只做原装,提供一站式配单服务
FDFMA2P853
8309
QFN/2023+
原装现货
FDFMA2P853
96500
DFN6/2022+
一级代理,原装正品假一罚十价格优势长期供货
FDFMA2P853
8000
SMD/22+
-
FDFMA2P853
5500
-/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
FDFMA2P853
5000
SMD/22+
一站式配单,只做原装
FDFMA2P853
5000
SMD/23+
优势产品大量库存原装现货
3,000
分离式半导体产品
FET - 单
PowerTrench®
MOSFET P 通道,金属氧化物
二极管(隔离式)
20V
3A
120 毫欧 @ 3A,4.5V
1.3V @ 250µA
6nC @ 4.5V
435pF @ 10V
700mW
表面贴装
6-WDFN 裸露焊盘
6-MicroFET(2x2)
带卷 (TR)
FDFMA2P853FSTRFDFMA2P853TRFDFMA2P853TR-ND
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet,fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet,带有肖特基二极管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计,能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺,能降低传导和开关损耗,提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较,fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%),并且能够耗散1.4w功率,而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet,fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet,带有肖特基二极管,并采用2mm× 2mm× 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm× 3mm× 1.1mm mosfet,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计,能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺,能降低传导和开关损耗,提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm× 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较,fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%),并且能够耗散1.4w功率,而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的microfe
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench® mosfet,fdfma2p853则是20v p沟道powertrench® mosfet,带有肖特基二极管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计,能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench® mosfet工艺,能降低传导和开关损耗,提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较,fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%),并且能够耗散1.4w功率,而sc-70封装器件的功率消耗则
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet,fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet,带有肖特基二极管,并采用2mm×2mm×0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm×3mm×1.1mm mosfet,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计,能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺,能降低传导和开关损耗,提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm×2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较,fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗(降低约60%),并且能够耗散1.4w功率,而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的microfet系列提供了