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FDMA86151L

更新时间:2025-06-11 00:31:10

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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1635
ON
WDFN6/22+
进口原装现货

深圳市驰芯世纪电子有限公司
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深圳市杰旭鑫科技有限公司
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只做全新原装，特价

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
仙童原装
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原装现货，支持BOM配单

深圳市永贝尔半导体有限公司
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2000
ON(安森美)
SMDDIP/2022+
只做原装ON 货服务商

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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50000
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WDFN6/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

深圳市金灿利电子科技有限公司
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168000
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市英科美电子有限公司
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26800
ONSEMI/安森美
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保证全新原装

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
onsemi(安森美)
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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ON/安森美
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深圳市威雅利发展有限公司
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1800
ON
WDFN6/2022+
原装现货

深圳市硅宇电子有限公司
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15988
ON Semiconductor(安森美)
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市华斯顿科技有限公司
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26500
ON
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汽车IC原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
Fairchild/ON
6WDFN/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市万佳电子贸易有限公司
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ON/不拆盘
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深圳市捷立辉科技有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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别划了原厂原装，有货的

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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ON
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原装现货

深圳市赛思尔科技有限公司
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21403
ON
-/23+
原装现货，长期供应

中科航电（深圳）电子集团有限
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852200
ON/安森美
DFN20206/1932+
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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1800
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原装现货

深圳市伟欣华电子有限公司
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150000
ON/安森美
DFN20206/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单

深圳市米数科技有限公司
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5000
ON(安森美)
MicroFET6/25+
只做原装，价格市场

深圳市颢天电子有限公司
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3180
ON
23+/N/A
特价原装现货，一站配齐

深圳市讯运电子有限公司
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668710
ORSEMI/安森美
WDFN6/22+
原装可开发票

深圳市腾桩电子有限公司
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9000
Fairchild/ON
6WDFN/25+
原厂渠道，现货配单

深圳市创德丰电子有限公司
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9000
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一定原装/国外现货

深圳市泰佳兴电子有限公司
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41001
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大量现货，提供一站式配单服务

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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ON/安森美
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现货假一罚万只做原厂原装现货

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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深圳市南科功率半导体有限公司
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NK/南科功率
DFN20206/2025+
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深圳市吉铭贸易有限公司
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50000
ON Semiconductor
MOSFET NCH 100V 3.3A 6MLP/2020+
原装现货配单

深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市科祥威电子科技有限公司
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FDMA86151L 概述

FDMA86151L是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压Vds为30V，连续漏极电流Id为24A，适用于需要高效功率转换的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器、负载点(POL)转换器以及电池供电设备中的电源管理电路。在电机驱动应用中也能发挥作用。由于其良好的热性能和紧凑的封装形式，特别适合空间受限同时对效率要求较高的便携式电子设备使用。设计时应注意遵循制造商推荐的最大工作电压和电流限制，并确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET。在实际布局中应尽量减小走线电感以减少开关损耗。对于高频应用场合，需考虑适当的散热措施保证器件可靠运行。

FDMA86151L 规格参数

现有数量
5,800现货
系列
PowerTrench?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
88 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
7.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘

芯知识

1.3万

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广东微尔科技有限公司

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