带有此标记的料号：
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12000
WDFN/19+
进口原装现货
FDMC8200
3000
QFN/1033+
公司现货进口原装优势价格热卖
FDMC8200
3000
QFN/1033+
公司现货进口原装优势价格热卖
FDMC8200
80000
WDFN/23+
原装现货
FDMC8200
36502
POWER338/24+
原装 低价优势 配单十年
FDMC8200
50000
-/25+
原厂渠道商，可支持60天账期及180天承兑
FDMC8200
8690
DFN8/23+
只做原装 支持实单
FDMC8200
12000
WDFN/19+
进口原装现货
FDMC8200
6258
QFN/22+
只做原装
FDMC8200
668764
WDFN8/22+
原装可开发票
FDMC8200
2994
POWER33/21+
原装
FDMC8200
24259
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
FDMC8200
54232
WDFN8/24+
1比1质量台湾芯片/包上机可供更多
FDMC8200
254389
QFN8/19+
只做原装，也只有原装
FDMC8200
1469
2021+/POWER33
只做原装现货假一罚十
FDMC8200
24304
DFN8/14+
原装现货，市场价格
FDMC8200
300000
Power338/23+
一级代理商可提供技术方案支持
FDMC8200
15000
QFN8/2215+
军用单位指定合供方/只做原装,自家现货
FDMC8200
20000
TO220F/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
FDMC8200
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
FDMC8200PDF下载
FDMC8200
Fairchild
FDMC8200PDF下载
日前，飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双mosfet解决方案fdmc8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 dc-dc 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm mlp模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30v n沟道mosfet，二者均使用的专用先进高性能powertrench 7 mosfet技术，提供出色的低rds(on)、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷 (qgd)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。fdmc8200高侧rds(on) 通常为24mohm，低侧则为9.5mohm，可提供9a以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 fdmc8200通过先进的封装技术和专有powertrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决dc-dc应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm power33 mlp封装和powertrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。 这款双
et便能够以一半的fet数目，提供相同的总体rds(on)。 fdms7650 采用飞兆半导体性能先进的 powertrench? mosfet 技术，提供具突破性的rds(on) 。这项技术拥有出色的低 rds(on)、总体栅极电荷(qg) 和米勒电荷 (qgd) ，能最大限度地减少传导和开关损耗，从而带来更高的效率。 这款功率mosfet器件是飞兆半导体众多 mosfet 器件之一，为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30v双n沟道mosfet器件 fdmc8200和fdms9600，fdmc8200通常具有24 mohm 的高侧rds(on) ，以及9.5 mohm的低侧rds(on) ，有效提高了 dc-dc 应用的效率。fdms9600 则通过降低高侧 mosfet 的开关损耗，以及低侧 mosfet的传导损耗，为同步降压应用提供最佳的功率级。 来源:博士
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双mosfet解决方案fdmc8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 dc-dc 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm×3mm mlp模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30v n沟道mosfet，二者均使用的专用先进高性能powertrench 7 mosfet技术，提供出色的低rds(on)、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷 (qgd)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。fdmc8200高侧rds(on) 通常为24mohm，低侧则为9.5mohm，可提供9a以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 fdmc8200通过先进的封装技术和专有powertrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决dc-dc应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm×3mm power33 mlp封装和powertrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。
日前，飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双mosfet解决方案fdmc8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 dc-dc 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm mlp模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30v n沟道mosfet，二者均使用的专用先进高性能powertrench 7 mosfet技术，提供出色的低rds(on)、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷 (qgd)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。fdmc8200高侧rds(on) 通常为24mohm，低侧则为9.5mohm，可提供9a以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 fdmc8200通过先进的封装技术和专有powertrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决dc-dc应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm power33 mlp封装和powertrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。 这款双
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双mosfet解决方案fdmc8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 dc-dc 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm×3mm mlp模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30v n沟道mosfet，二者均使用的专用先进高性能powertrench 7 mosfet技术，提供出色的低rds(on)、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷 (qgd)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。fdmc8200高侧rds(on) 通常为24mohm，低侧则为9.5mohm，可提供9a以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 fdmc8200通过先进的封装技术和专有powertrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决dc-dc应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm×3mm power33 mlp封装和powertrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双mosfet解决方案fdmc8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 dc-dc 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm mlp模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30v n沟道mosfet，二者均使用的专用先进高性能powertrench 7 mosfet技术，提供出色的低rds(on)、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷 (qgd)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。fdmc8200高侧rds(on) 通常为24mohm，低侧则为9.5mohm，可提供9a以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 fdmc8200通过先进的封装技术和专有powertrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决dc-dc应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm power33 mlp封装和powertrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。
et便能够以一半的fet数目，提供相同的总体rds(on)。 fdms7650 采用飞兆半导体性能先进的 powertrench? mosfet 技术，提供具突破性的rds(on) 。这项技术拥有出色的低 rds(on)、总体栅极电荷(qg) 和米勒电荷 (qgd) ，能最大限度地减少传导和开关损耗，从而带来更高的效率。 这款功率mosfet器件是飞兆半导体众多 mosfet 器件之一，为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30v双n沟道mosfet器件 fdmc8200和fdms9600，fdmc8200 <http://www.fairchildsemi.com/pf/fd/fdmc8200.html>通常具有24 mohm 的高侧rds(on) ，以及9.5 mohm的低侧rds(on) ，有效提高了 dc-dc 应用的效率。fdms9600 <http://www.fairchildsemi.com/pf/fd/fdms9600s.html> 则通过降低高侧 mosfet 的开关损耗，以及低侧 mosfet的传导损耗，为同步降压应
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