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FDV302P

更新时间:2025-06-02 13:05:56
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FDV302P外观图

FDV302P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FDV302P 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    120mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    10 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    11pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDV302PTR
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