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              IRF6645TR1PBF
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IRF6645TR1PBF

更新时间:2024-09-23 01:37:46
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IRF6645TR1PBF外观图

  • 大小：242.7KB
  • 厂家：International Rectifier
  • 描述： MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SJ; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:5.7A; Resistance, Rds On:28mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SJ; Termination Type:SMD; Base Number:6645; Current, Idm Pulse:45A; Marking, SMD:3; Power Dissipation:3mW; Voltage, Vds:100V; Voltage, Vgs th Max:4.9V; Voltage, Vgs th Min:3V
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 5.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：890pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 SJ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? SJ
  • 包装：带卷 (TR)
  • 配用：IRAUDAMP5-ND - BOARD DEMO IRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND - KIT 2CH 120W HALF BRDG AUDIO AMP
  • 其它名称：IRF6645TR1PBFTR
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