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国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出一款新型60v directfet 功率 mosfet-irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mω(vgs=10v),导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用so-8封装的irf6648,性能可与两个并联的同类增强型so-8器件相媲美。irf6648最适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。 如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72w增加15%。这完全归功于ir directfet mosfet 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。 ir中国及香港销售总监严国富指出:“我们扩展了中压directfet mosfet产品系列,这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。” “irf6648是一种多功能器件,可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有
国际整流器公司(international rectifier,简称为ir)近日推出一款新型60v directfet功率mosfet-irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mω(vgs=10v),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用so-8封装的irf6648,其性能与两个并联的同类增强型so-8器件相似。irf6648适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72w增加15%。 ir中国及香港销售总监严国富指出:“我们扩展了中压directfet mosfet产品系列,这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。irf6648是一种多功能器件,可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有源oring系统。” ir的directfet mos
国际整流器公司(international rectifier,简称为ir)推出一款新型60v directfet功率mosfet-irf6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mω(vgs=10v),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用so-8封装的irf6648,其性能与两个并联的同类增强型so-8器件相似。irf6648适用于电信及网络系统的隔离式dc-dc转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将irf6648用于48v输入、12v输出的240w隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72w增加15%。 ir中国及香港销售总监严国富指出:“我们扩展了中压directfet mosfet产品系列,这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式dc-dc转换器的初级和次级插槽的性能。irf6648是一种多功能器件,可用于36v到75v输入的隔离式dc-dc转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式dc-dc总线转换器、24v输入初级正向有源箝位电路和48v输出ac-dc有源oring系统。” ir的directfet mosfet封装已获得