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irf6662供应商优质现货

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  • 深圳市创德丰电子有限公司

  • IRF6662TRPBF

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  • 6496

  • Infineon

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irf6662价格行情

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irf6662中文资料

  • 典型关断延迟时间:

    24 ns

  • 典型接通延迟时间:

    11 ns

  • 典型栅极电荷@Vgs:

    22 nC V @ 10

  • 典型输入电容值@Vds:

    1360 pF V @ 25

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    5.05mm

  • 封装类型:

    DirectFET MZ

  • 尺寸:

    5.45 x 5.05 x 0.6mm

  • 引脚数目:

    7

  • 最低工作温度:

    -40 °C

  • 最大功率耗散:

    2800 mW

  • 最大栅源电压:

    ±20 V

  • 最大漏源电压:

    100 V

  • 最大漏源电阻值:

    0.022

  • 最大连续漏极电流:

    8.3 A

  • 最高工作温度:

    +150 °C

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    N

  • 配置:

    双源、四漏极、单

  • 长度:

    5.45mm

  • 高度:

    0.6mm

  • IR最新小封装200V DirectFET MOSFET效率高达95%

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