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IRF6604TR1

更新时间:2025-05-23 22:39:11
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IRF6604TR1外观图

IRF6604TR1

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

  • 封装:DirectFET? 等容 MQ
IRF6604TR1 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    11.5 毫欧 @ 12A，7V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2270pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    2.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    DirectFET? 等容 MQ
  • 供应商设备封装
    DIRECTFET? MQ
  • 包装
    带卷 (TR)
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