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MMDF1N05ER2

更新时间:2024-04-10 21:24:14
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  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual]
  • 标准包装:10
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:330pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:剪切带 (CT)
  • 其它名称:MMDF1N05ER2OSCT
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