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  • MMDF2C03HDR2G的技术参数

    产品型号:mmdf2c03hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):70/200最大漏极电流id(on)(a):4.100通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:2a,30v,so-8,n/p沟道功率双mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin

  • MMDF2C03HDR2G的技术参数

    产品型号:MMDF2C03HDR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):70/200
    最大漏极电流Id(on)(A):4.100
    通道极性:N/P沟道
    封装/温度(℃):SO-8/-55~150
    描述:2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET
    价格/1片(套...

mmdf2c03hdr2g替代型号

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