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当前位置：维库电子市场网>IC>mmdf2n02er2g 更新时间:2024-04-20 11:57:17

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  • MMDF2N02ER2G的技术参数

    产品型号:mmdf2n02er2g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):3.600通道极性:n/n沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:2a,25v,so-8,n沟道功率双mosfet价格/1片(套):￥6.40 来源:xiangxueqin

  • MMDF2N02ER2G的技术参数

    产品型号:MMDF2N02ER2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):25
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
    最大漏极电流Id(on)(A):3.600
    通道极性:N/N沟道
    封装/温度(℃):SO-8/-55~150
    描述:2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
    价格/1片(套):￥6....

mmdf2n02er2g替代型号

MMDF2C03HDR2G MMBZ9V1ALT1 MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V2ALT1 MMBZ5V6ALT3 MMBZ5V6ALT1G MMBZ5V6ALT1 MMBZ5260BLT1G MMBZ5255BLT1G MMBZ5254BLT1G

MMDF2P02HDR2G MMDF3N02HDR2G MMDF3N04HDR2G MMDL301T1G MMDL6050T1G MMDL770T1G MMDL914T1G MMDT5401 MMFT960T1G MMG3012NT1

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