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MMDF1N05ER2G

更新时间:2025-05-22 04:51:34

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
MMDF1N05ER2G
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市念芯电子有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

华芯盛世半导体（深圳）有限公
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特价支持，只做原装现货

深圳市永贝尔半导体有限公司
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原装现货，价格优势，提供配单服务

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原装最低价，认准华盛锦

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只做原装,专注海外现货订购20年

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ON/安森美
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MMDF1N05ER2G外观图

MMDF1N05ER2G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

MMDF1N05ER2G 概述

MMDF1N05ER2G是MOSPEC公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，适合表面贴装技术。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，在小信号放大和高速开关应用中表现出色。这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。例如，在手机、平板电脑等便携式设备中用于电源管理电路；在通信模块中作为信号开关；在工业控制系统中用于驱动小型负载。在实际应用中，推荐在栅极串联一个限流电阻以防止浪涌电流损坏栅氧层，并且要注意散热设计以确保稳定工作。对于低功耗设计，可以充分利用其低导通电阻特性来减少能量损耗。在电路设计时需注意电压应力不超过最大额定值60V，保证电路安全可靠运行。

MMDF1N05ER2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫欧 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMDF1N05ER2GOSMMDF1N05ER2GOS-NDMMDF1N05ER2GOSTR

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