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  • NTS4409NT1G的技术参数

    产品型号:nts4409nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):249@4.5v最大漏极电流id(on)(a):0.750通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-323/-55~150描述:0.75a,25v,esd保护功率mosfet价格/1片(套):¥1.00 来源:xiangxueqin

  • NTS4409NT1G的技术参数

    产品型号:NTS4409NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):25
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):249@4.5V
    最大漏极电流Id(on)(A):0.750
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-323/-55~150
    描述:0.75A,25V,ESD保护功率MOSFET
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nts4409nt1g替代型号

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