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产品型号:ntts2p03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135最大漏极电流id(on)(a):2.480通道极性:p沟道封装/温度(℃):micro8/-55 ~150描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet价格/1片(套):¥3.50 来源:xiangxueqin
产品型号:NTTS2P03R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135
最大漏极电流Id(on)(A):2.480
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150
描述:-2.48 A, -30 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥3.50