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  • NTTS2P03R2G的技术参数

    产品型号:ntts2p03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135最大漏极电流id(on)(a):2.480通道极性:p沟道封装/温度(℃):micro8/-55 ~150描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet价格/1片(套):￥3.50 来源:xiangxueqin

  • NTTS2P03R2G的技术参数

    产品型号:NTTS2P03R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135
    最大漏极电流Id(on)(A):2.480
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150
    描述:-2.48 A, -30 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.50

ntts2p03r2g替代型号

NTTS2P02R2G NTTD4401FR2G NTS4409NT1G NTS4101PT1G NTS4001NT1G NTS4001NT1 NTS2101PT1G NTR4503NT1G NTR4502PT1G NTR4501NT1G

NTY100N10G NTZD3152PT1 NTZD3152PT1G NTZD3154N NTZD3154NT1 NTZD3154NT1G NTZD3155CT1G NTZS3151PT1 NTZS3151PT1G NU501

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