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当前位置：维库电子市场网>IC>ntts2p02r2g 更新时间:2024-04-20 08:53:14

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  • NTTS2P02R2G的技术参数

    产品型号:ntts2p02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90最大漏极电流id(on)(a):3.250通道极性:p沟道封装/温度(℃):micro8/-55 ~150描述:-2.4 a, -20 v 双功率mosfet价格/1片(套):￥3.00 来源:xiangxueqin

  • NTTS2P02R2G的技术参数

    产品型号:NTTS2P02R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
    最大漏极电流Id(on)(A):3.250
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150
    描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.00

ntts2p02r2g替代型号

NTTD4401FR2G NTS4409NT1G NTS4101PT1G NTS4001NT1G NTS4001NT1 NTS2101PT1G NTR4503NT1G NTR4502PT1G NTR4501NT1G NTR4101PT1G

NTTS2P03R2G NTY100N10G NTZD3152PT1 NTZD3152PT1G NTZD3154N NTZD3154NT1 NTZD3154NT1G NTZD3155CT1G NTZS3151PT1 NTZS3151PT1G

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