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  • NTY100N10G的技术参数

    产品型号:nty100n10g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):11最大漏极电流id(on)(a):100通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-264/-55 ~150描述:100 v, 123 a,双功率mosfet价格/1片(套):￥84.00 来源:xiangxueqin

  • NTY100N10G的技术参数

    产品型号:NTY100N10G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):100
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11
    最大漏极电流Id(on)(A):100
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):TO-264/-55 ~150
    描述:100 V, 123 A,双功率MOSFET
    价格/1片(套):￥84.00
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nty100n10g替代型号

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