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NTJD1155LT1G

更新时间:2025-07-04 01:25:35
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NTJD1155LT1G外观图

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
NTJD1155LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    400mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    SOT-363
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NTJD1155LT1GOSTR
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