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NTMFS4833NT1G

更新时间:2025-06-24 09:10:59

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NTMFS4833NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4833NT1G 概述

NTMFS4833NT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用超小型的SOT-23封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于电池供电设备中的负载开关、电源管理以及DC - DC转换器等应用。其栅极 - 源极电压为±20V，漏极 - 源极电压为30V，在VGS = 4.5V时，最大导通电阻仅为35mΩ（典型值），这有助于减少导通损耗并提高系统整体性能。在使用时需要注意散热设计，避免因过热导致器件损坏，并且在电路布局上要尽量减小寄生电感对开关性能的影响。

NTMFS4833NT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
88nC @ 11.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5600pF @ 12V
功率 - 最大
910mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4833NT1G-NDNTMFS4833NT1GOSTR

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