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NTLJD3115PTAG

更新时间:2025-05-16 07:37:49

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ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJD3115PTAG 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
531pF @ 10V
功率 - 最大
710mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)

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