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ON Semiconductor
MOSFET
N-Channel
20 V
+/- 12 V
6 A
0.031 Ohms
Dual Dual Drain
+ 150 C
SMD/SMT
Micro-8
Reel
1.17 ns
- 55 C
1.5 W
1.17 ns
3000
1.87 ns
NTLTD7900ZR2内部电路如下图所示:
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产品型号:NTLTD7900ZR2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):9
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150
描述:20 V, 9A功率MOSFET
价格/1片(套):¥4.00
电流参数:ID=6A/IDM=30A/IS=1.4A电压参数:UDSS=20V/UGS=±12V功 率: PD=1.5W其他参数:4.5V/21mΩ、2.5V/27mΩ极 性:N备 注:双场效应管
ntltd7900zr2内部电路如下图所示: 来源:与你同行