当前位置:维库电子市场网>IC>ntltd7900zr2 更新时间:2024-04-20 17:18:34

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ntltd7900zr2中文资料

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 产品种类:

    MOSFET

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    20 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 12 V

  • 漏极连续电流:

    6 A

  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):

    0.031 Ohms

  • 配置:

    Dual Dual Drain

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体:

    Micro-8

  • 封装:

    Reel

  • 下降时间:

    1.17 ns

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    1.5 W

  • 上升时间:

    1.17 ns

  • 工厂包装数量:

    3000

  • 典型关闭延迟时间:

    1.87 ns

  • NTLTD7900ZR2内部电路图

      NTLTD7900ZR2内部电路如下图所示:

    NTLTD7900ZR2内部电路图

      <...

  • NTLTD7900ZR2G的技术参数

    产品型号:NTLTD7900ZR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
    最大漏极电流Id(on)(A):9
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150
    描述:20 V, 9A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥4.00

  • NTLTD7900ZR2

    电流参数:ID=6A/IDM=30A/IS=1.4A电压参数:UDSS=20V/UGS=±12V功 率: PD=1.5W其他参数:4.5V/21mΩ、2.5V/27mΩ极 性:N备 注:双场效应管

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