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Power MOSFET and Schottky Diode W...
ONSEMI [ON Semiconductor]
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越的热阻(38°c/w)与额定功率(1.9 w)，额定持续功率比业界标准sd-88封装提高了高达190%，比sd-70-6扁平引脚封装提供高了130%。因此由功率的角度来看，采用wdfn6封装的μcool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。 其中最先推出的六款产品中，20v p-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g 均过经优化, 在4.5 v时导通电阻rds(on)分别为42 mω与100 mω，适用于锂离子电池充电应用；20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 经过优化，适用于将3 v到4 v的电池电压转换为微处理器使用的1.1 v电压应用；30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)与fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 经过优化后，适用于白光led背光等同步升压应用；30v n-通道双ntljd4116nt1g (70 mω) 经过优化，则适用于照相机快门与闪光等低电压端开关。 “我们设计μcool?产品系列的主要目的是解决便携式设备，例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电
产品型号:ntljf3117pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):-4.100通道极性:p沟道封装/温度(℃):dfn-6/-55~150描述:-20v,-4.1a,ucool功率mosfet,2a肖特基二极管价格/1片(套):￥3.20 来源:xiangxueqin
产品型号:NTLJF3117PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):-4.100
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL功率MOSFET,2A肖特基二极管
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