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STD4NK50ZD

更新时间:2025-05-28 16:31:45

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询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市米数科技有限公司
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STD4NK50ZD外观图

STD4NK50ZD

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD4NK50ZD 概述

STD4NK50ZD是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为500V，适合于需要高电压处理能力的电路设计。典型应用场景包括交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)转换器、照明控制系统、电机驱动以及各种工业电源管理方案。在实际使用中，建议确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通电阻，提高系统效率。设计时应注意适当的散热措施，如添加散热片或使用良好的PCB布局来增强热性能。对于驱动电路，推荐使用带有适当阻尼的栅极电阻以防止振荡并优化开关速度。

STD4NK50ZD 规格参数

其它有关文件
STD4NK50ZD View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-5105-6

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