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直流转换器的全新功率mosfet(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中,新产品实现了最低的品质因数:fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量(qg)。 除高能效外,新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品,因为导通电阻小,栅电荷总量被大幅度降低,新系列产品性能优异,能效明显提高。两款产品都是30v(bvdss)器件。因为栅电荷量(qg)仅为8.8nc(纳库化),在10v电压时,导通电阻rds(on)为7.2毫欧,所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时,导通电阻rds(on)为4.2毫欧,栅电荷量为14nc,因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
的全新功率mosfet(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中,新产品实现了最低的品质因数:fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量(qg)。 除高能效外,新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品,因为导通电阻小,栅电荷总量被大幅度降低,新系列产品性能优异,能效明显提高。两款产品都是30v(bvdss)器件。因为栅电荷量(qg)仅为8.8nc(纳库化),在10v电压时,导通电阻rds(on)为7.2毫欧,所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时,导通电阻rds(on)为4.2毫欧,栅电荷量为14nc,因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
-直流转换器的全新功率mosfet(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中,新产品实现了最低的品质因数:fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量(qg)。 除高能效外,新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品,因为导通电阻小,栅电荷总量被大幅度降低,新系列产品性能优异,能效明显提高。两款产品都是30v(bvdss)器件。因为栅电荷量(qg)仅为8.8nc(纳库化),在10v电压时,导通电阻rds(on)为7.2毫欧,所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时,导通电阻rds(on)为4.2毫欧,栅电荷量为14nc,因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品
新功率mosfet(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产品采用st独有的最新版stripfet™制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中,新产品实现了最低的品质因数:fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量(qg)。 除高能效外,新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率,这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如,把电路的开关频率提高10%,输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品,因为导通电阻小,栅电荷总量被大幅度降低,新系列产品性能优异,能效明显提高。两款产品都是30v(bvdss)器件。因为栅电荷量(qg)仅为8.8nc(纳库化),在10v电压时,导通电阻rds(on)为7.2毫欧,所以std60n3lh5是非隔离直流—直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时,导通电阻rds(on)为4.2毫欧,栅电荷量为14nc,因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品