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STD55NH2LLT4

更新时间:2025-07-12 01:58:55

供应商
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封装/批号
说明
询价

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原装现货，实单支持

深圳市创芯联盈电子有限公司
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STD55NH2LLT4外观图

STD55NH2LLT4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 24V 40A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD55NH2LLT4 概述

STD55NH2LLT4是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术，具有低导通电阻和栅极电荷，适用于高效的电源管理应用。其最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达5.5A，在小尺寸DFN3x3封装内提供了优异的电气性能。典型应用场景包括负载开关、DC-DC转换器以及电池充电电路等便携式电子设备中。在实际使用时，建议在PCB设计阶段充分考虑散热需求，并确保栅极驱动电压满足阈值要求以保证正常开启。由于其低Rds(on)特性，在需要高效能量传输的场合表现尤为出色。使用时需注意遵循制造商推荐的焊盘设计和回流焊工艺参数以确保可靠焊接。

STD55NH2LLT4 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
990pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-4104-2

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