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IR DirectFET MOSFET芯片组
ir）近日推出两款新型的30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐（st）directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐（mp）directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（mx）directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散

IR推出两款30V DirectFET MOSFET转换器芯片组
al rectifier，简称ir)近日推出两款新型30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新产品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计。新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st) directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp) directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能
IR推出两款新型DirectFET MOSFET芯片组
只需单个控制和单个同步mosfet便可在大电流下工作，因此功率密度高于传统封装。也就是说，这些芯片组具有更好的热性能，面积也更小，最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流

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