IRF6618TRPBF
4800
QFN/1017+
一定原装/香港现货
IRF6618
3500
DirectFET/06+
只做原装,也只有原装
IRF6618
62578
-/2021+
主营品牌全新原装可供更多
IRF6618
22100
DIRECTFET MT/23+
原厂渠道 保证
IRF6618
9400
DirectFET/23+
原装现货
IRF6618
6500
DirectFET/23+
只做原装现货
IRF6618
4985
-/1837+
原装现货特价热卖可提供增值税发票
IRF6618
22114
-/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
IRF6618
13352
ROHS/2022+
一级代理,原装正品假一罚十价格优势长期供货
IRF6618
5000
-/22+
原厂渠道可追溯,精益求精只做原装
IRF6618
5690
DirectF/21+
全新原装现货 物美价廉.
IRF6618
10000
DirectFET MT/21+
原装正品
IRF6618
138000
DirectFET/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
IRF6618
6850
QFN/21+
只做原装假一赔十正规渠道订货
IRF6618
5240
-/21+
中研正芯,只做原装
IRF6618
5000
SOP8/23+
原装现货,实单支持
IRF6618
7800
QFN/23+
只做进口原装假一赔十
IRF6618
9200
DIRECTFET/23+
只做原装更多数量在途订单
IRF6618
5000
QFN/22+
宽宏博大,通达天下
约96.4%的效率。 图1显示了48v直流输入的原理图,它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线变换器电路。在初级,ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet,它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得,并用于启动,然后在稳态下由变压器获得。irf7380,是双80v n-沟道功率mosfet,集成在so-8封装内,被用于获得该功能。在次级,新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说,新型的40v n-沟道irf6613 可用作同步整流mosfet,这个单元在小于1/8砖的外形达到了超过96%的效率,跟传统相比,效率大约高出3-5%,体积减少了50%,是完全稳压的、板上安装的功率变换器。 在比较直流总线变换器的directfet封装与标准的so-8产品的性能时,这里有一些重要的结果。so-8产品由于热能力的原因限制功率在150w,除此之外, so-8产品经常并联使用。
使用控制器和驱动器集成电路ir2085s,它推动两只 irf7493 型fet晶体管───这是新一代低电荷、80 v的n型沟道mosfet功率晶体管,它采用so-8封装。在输入电压为36 v至75 v时,这只 fet 晶体管可以换成100v的irf7495fet 晶体管。在启动时,原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生,在稳态时,则由变压器产生原边偏置电压。irf7380中包含两个80v的 n型沟道 mosfet功率晶体管,采用so-8封装,就是用于在稳态时产生原边偏置电压。 irf6612或者 irf6618──这是使用directfet封装的新型30v、 n型沟道 mosfet功率晶体管,可以用于副边的自驱动同步整流电路。 directfet 半导体封装技术实际上消除了mosfet晶体管的封装电阻,最大程度地提高了电路的效率,处于导通状态时的总电阻很小。利用directfet 封装技术,它到印刷电路板的热阻极小,大约是1°c/w,directfet器件的半导体结至顶部(外壳)的热阻大约是 1.4°c/w。 irf6612 或者irf6618的栅极驱动电压限制在最优的数值7.5