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国际整流器公司(international rectifier,简称ir)推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新产品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。例如,电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。 ir中国及香港销售总监严国富指出:“irf6619和irf6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间,有效压缩工作站和服务器的体积。” irf6619是理想的同步mosfet,器件的典型导通电阻极低,在10vgs下为1.65mω,在4.5vgs下则为2.2mω,而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装,占板面积与so-8封装相同,高度只有0.7mm。 irf6633的栅电荷极低,米勒电荷只有4nc,最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比,
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。 例如,电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。ir中国及香港销售总监严国富指出:“irf6619 和irf6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间,有效压缩工作站和服务器的体积。”irf6619是理想的同步mosfet,器件的典型导通电阻极低,在10vgs下为1.65mω,在4.5vgs下则为2.2mω,而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装,占板面积与so-8封装相同,高度只有0.7mm。irf6633的栅电荷极低,米勒电荷只有4nc,最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比,其