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FDI045N10A

更新时间:2025-05-19 22:53:36
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FDI045N10A外观图

FDI045N10A

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

  • 封装:TO-262-3（直引线）
FDI045N10A 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.5 毫欧 @ 100A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5270pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    263W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3（直引线）
  • 供应商设备封装
    TO-262-3
  • 包装
    管件
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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