FDMA1025P
334420
WDFN6/2025+
国产南科兼容替代
FDMA1025P
83121
MicroFET6/24+
专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持
FDMA1025P
2500
1024+/QFN
绝对优势原装现货
FDMA1025P
10000
-/24+
现货库存
FDMA1025P
20000
TO251(IPAK)/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
FDMA1025P
3000
-/1032+
全新原装，价优，欢迎订购
FDMA1025P
88688
22DFN/2605+
库存现货
FDMA1025P
12260
N/23+
高品质 优选好芯
FDMA1025P
15600
MicroFET/2026+
原装优势有货
FDMA1025P
5000
N/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
FDMA1025P
80000
-/23+
原装现货
FDMA1025P
360000
2023+/DFN20206
专注场效应MOS管,LDO电源 ESD静电管
FDMA1025P
98000
22 DFN/24+PB
专营贴片二三极管桥堆原装现货特价抛售
FDMA1025P
15988
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单
FDMA1025P
7764
MicroFET(2x2)/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
FDMA1025P
5000
N/23+
原装库存，提供优质服务
FDMA1025P
5000
N/26+
全新原装现货，一站式配单服务
FDMA1025P
105000
SMC/23+
十年配单，只做原装
FDMA1025P
3000
N/10+
原装正品热卖，价格优势
FDMA1025P
5000
N/23+
优势产品大量库存原装现货
FDMA1025P
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2
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FDMA1025P
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -2...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1025P_08
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低
它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至
以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最
转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir)，能将效率提升至最高。
流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用
其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两
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