FDMA1027P
334420
WDFN6/2025+
国产南科兼容替代
FDMA1027
168000
QFN6/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FDMA1027
8913
QFN6/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
FDMA1027
100500
QFN6/2519+
一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货
FDMA1027
1
N/A/25+
回收此型号FDMA1027
FDMA1027
25568
QFN6/1903+
原包装进口正品现货库存-正规渠道
FDMA1027
96000
QFN6/2022+
100%进口原装现货
FDMA1027
5364
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
FDMA1027
17500
QFN6/25+
货真、价实、城交
FDMA1027
1000
20+/NA
-
FDMA1027P
25000
SMD/20+
优势库存，特价出售 一站式配单服务
FDMA1027P
88688
SMD/2605+
库存现货
FDMA1027P
258200
MLP6/2021
-
FDMA1027P
2500
1227+/-
原装现货
FDMA1027P
8620
QFN6/22+
只做原装假一赔万
FDMA1027P
6000
Microfet 2x2/-
只供原装，欢迎咨询
FDMA1027P
6000
QFN6/-
批量特价支持
FDMA1027P
6800
-/22+
原装现货
FDMA1027P
15600
MicroFET/2026+
原装优势有货
FDMA1027P
5000
-/26+
提供BOM一站式配单服务
FDMA1027P
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
FDMA1027PPDF下载
FDMA1027P
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1027PT
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET ...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1027P_06
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDMA1027P_06PDF下载
FDMA1027P_08
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDMA1027P_08PDF下载
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm× 2mm× 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm× 3mm× 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm× 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的micro
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench® mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench® mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench® mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm×2mm×0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm×3mm×1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm×2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗(降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的microfet系列提
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