FDMA1027P
8921000
DFN20206/-
一级代理现货 专注电子元件十三年，只做原装现货
FDMA1027
16466
QFN6/22+
原厂原装现货
FDMA1027
30000
N/A/22+
只做原装假一罚十
FDMA1027
1105
QFN6/0552+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
FDMA1027
5364
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
FDMA1027
159000
NEW/NEW
一级代理正品保证
FDMA1027
96000
QFN6/2022+
100%进口原装现货
FDMA1027
25377
QFN6/21+
原厂原装现货
FDMA1027
25377
QFN6/21+
原厂原装现货
FDMA1027
68900
QFN6/-
原包原标签100%进口原装常备现货
FDMA1027
138000
QFN6/21+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FDMA1027
8913
QFN6/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
FDMA1027
1
-/22+
回收此型号FDMA1027
FDMA1027
7081
QFN6/-
全新原装
FDMA1027
5000
QFN6/-
十年芯程，只做原装
FDMA1027
10000
-/22+
一级代理.原装特价现货
FDMA1027
1115
2010+/QFN6
深港现货大陆代理直销优势价格长期稳定供应可开17%增...
FDMA1027
17500
QFN6/19+
货真、价实、城交
FDMA1027
86000
QFN6/18+
公司原装现货可含税特价特价
FDMA1027
1115
QFN6/05+
原装现货
FDMA1027P
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
FDMA1027PPDF下载
FDMA1027P
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1027PT
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET ...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1027P_06
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FDMA1027P_08
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm× 2mm× 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm× 3mm× 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm× 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的micro
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench® mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench® mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench® mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗 (降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet产品fdma1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p沟道powertrench mosfet，fdfma2p853则是20v p沟道powertrench mosfet，带有肖特基二极管，并采用2mm×2mm×0.55mm mlp封装。相比低电压设计中常用的3mm×3mm×1.1mm mosfet，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的powertrench mosfet工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm×2mm sc-70封装类似尺寸的器件比较，fdma1027和fdfma2p853提供更低的传导损耗(降低约60%)，并且能够耗散1.4w功率，而sc-70封装器件的功率消耗则为300mw。 飞兆半导体的microfet系列提
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