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FDI8441_F085

更新时间:2025-05-29 03:36:36
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FDI8441_F085外观图

FDI8441_F085

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

  • 封装:TO-262-3（直引线）
FDI8441_F085 规格参数
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    26A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.7 毫欧 @ 80A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    280nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    15000pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    300W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3（直引线）
  • 供应商设备封装
    TO-262AB
  • 包装
    管件
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芯知识
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广东微尔科技有限公司
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