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FDV303N

更新时间:2025-06-13 06:31:26

供应商
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封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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ONSemi/安森美
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原装有现货实单可谈

深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市创科洋电子有限公司
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认证现货
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深圳智睿捷科技有限公司
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优势
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-

深圳市弘为电子有限公司
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多光耦品牌授权代理，只做原装，支持开票

深圳市百达威尔科技有限公司
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只做原装欢迎监督

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深圳市海虹微电子有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市华盛锦科技有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，长期供货

深圳市先杰世纪科技有限公司
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SOT23/19+
原装现货热卖中

深圳市赛思尔科技有限公司
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原装现货长期供应

深圳市科濠电子有限公司
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Fairchild (飞兆/仙童)
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原装现货可出样品-高价收新库存13632853267

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深圳市米数科技有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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深圳市福田区晶康业电子商行
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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FDV303N

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDV303N 概述

FDV303N是一款N沟道增强型MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产。该器件采用超小型SOT-23封装，适用于表面贴装应用。其最大漏源电压为20V，在VGS = 4.5V时，典型导通电阻低至0.1Ω，这有助于减少导通损耗并提高能效。该MOSFET适合用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等应用。在电池供电设备中，由于其低栅极电荷和低导通电阻特性，可以有效降低静态功耗。设计人员应注意确保栅极驱动电压足够高以完全开启MOSFET，并且在PCB布局时尽量缩短源极与栅极之间的走线长度以减少寄生电感影响。在使用过程中还应关注最大功率耗散限制，防止因过热导致器件损坏。

FDV303N 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
680mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 10V
功率 - 最大
350mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDV303NTR

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