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NTLJD3182FZTBG

更新时间:2025-07-12 07:44:36
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NTLJD3182FZTBG外观图

NTLJD3182FZTBG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

  • 封装:6-WDFN 裸露焊盘
NTLJD3182FZTBG 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    100 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    7.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    450pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    710mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-WDFN（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
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