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STD52P3LLH6

更新时间:2025-06-22 06:36:16

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STD52P3LLH6 概述

STD52P3LLH6是意法半导体生产的一款功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，适用于高效功率转换应用。它专为低压高频开关电源设计，如DC-DC转换器和负载点(POL)稳压器。在这些应用中，其低栅极电荷和低反向传输电容有助于提高开关速度并减少开关损耗。该MOSFET可在-55至175℃温度范围内工作，最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达4.8A（在25℃条件下）。在实际应用中，建议选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保PCB布局合理，以改善散热效果。对于同步降压转换器等电路，应仔细考虑MOSFET的并联使用及热管理措施，以实现最佳效率与可靠性。

STD52P3LLH6 规格参数

现有数量
23现货
系列
STripFET? H6
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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