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STD5N80K5

更新时间:2025-06-22 07:39:55

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STD5N80K5 概述

STD5N80K5是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用场合。其最大漏源电压可达800V，连续漏极电流为5A，非常适合用于高压电源转换器、适配器、电池充电器以及照明系统中的开关电路。在反激式转换器中表现尤为出色，能有效降低开关损耗并提高效率。设计时需注意栅极驱动电路的稳定性，以确保MOSFET可靠工作。建议在实际应用中根据具体需求合理选择外围元件参数，并进行充分测试验证。

STD5N80K5 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
MDmesh?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.75 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
177 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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