IRMOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率
出处:ouhu 发布于:2007-11-22 17:16:20
这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15A的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。”
新的芯片组包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET,每个器件都经过专门设计,以发挥其效能。控制MOSFET具有更低的开关损耗(栅电荷),同步MOSFET则具有低传导损耗(低导通电阻)及低逆向恢复电荷。
IRF7823PbF是一款经过优化的控制场效应管(FET),栅电荷(Qg)和栅-漏极电荷(Qgd)都非常低,分别只有9.1nC和3.2nC。
IRF7832ZPbF对同步FET功能进行了优化,4.5V下的典型导通电阻极低,只有3.7m?,适用于高达12A的应用环境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF现在均已供货。以1万片订货量计算,IRF7823PbF每片0.5美元,IRF7832ZPbF为0.88美元,价格会有所变动。两种器件均为无铅产品,符合有害物质管理规定(RoHS)。
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