KLA-Tencor 公司推出了 WaferSight 2，这是半导体行业中个让晶片供应商和芯片制造商能够以 45nm 及更小尺寸所要求的高和工具匹配度，在单一系统中度量裸晶片平面度、形状、卷边及纳米形貌的度量系统。凭借业界的平面度和纳米形貌测量，加之更高的工具到工具匹配度，WaferSight 2 让晶片供应商能够率先生产下一代晶片，并让集成电路 (IC) 制造商对未来晶片质量的控制能力更具信心。

　　的光刻系统供应商的研究表明，在 45nm 工艺中，晶片平面度的细微差异会消耗高达 50% 的关键光刻焦深预算。在 KLA-Tencor 公司 WaferSight 1 系统占据市场地位的基础上，WaferSight 2 系统能够实现更严格的裸晶片平面度规格，并帮助芯片制造商战胜焦深挑战，其快速的新一代 45nm 平面度测量功能将让晶片制造商和集成电路公司双双获益。

　　KLA-Tencor 的成长与新兴市场副总裁 Jeff Donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸级别，晶片平面度、形状及表面形貌的差异对制程区段、光刻优率及其它制造工艺的影

　　响更大。与先前的 ADE Wafersight 1 相比，新型 WaferSight 2 系统具备更佳的光学与测量隔离，可实现更高的分辨率、匹配率和度，不仅能帮助晶片制造商大幅提升其制造规格，以满足 45nm 的要求，还能让芯片制造商测量将要使用的晶片，以确保生产的工艺质量。同时，这套系统的产能可降低运营成本，并提高效率。”

　　纳米形貌控制已成为 45nm 节点的关键，因为它是化学机械研磨 (CMP) 中缩小制程极限的根本，且会引起光刻中的微距量测 (CD) 差异。新型 WaferSight 2 具备业界的纳米形貌测量性能和更高，并且是个以单一非破坏性测量方式进行前后两面纳米形貌测量的系统。

　　WaferSight 2 将平面度和纳米形貌测量合并在一个系统上，与多工具解决方案相比，可缩短周期时间，减少在制品 (WIP) 的排队与移动时间，缩小所占空间，并提高设施的使用效率。WaferSight 2 还可与 KLA-Tencor 的数据管理系统 FabVision® 无缝结合，形成一套可离线分析存档数据或当前度量数据的完整解决方案，并可提供完全自定义的图表和。

　　WaferSight 2 测试现场合作伙伴 Soitec 公司的 SOI 产品平台副总裁 Christophe Maleville 表示：“我们对 WaferSight 2 系统的评估表明，这套工具的所有测量模式在同类产品中均具备性能，可提供卓越的长期重复能力与测量稳定性。Wafersight 2 系统的先进性能使其适合于新一代 45nm 生产，且在评估测试阶段和实际生产中，均表现出的稳定性。WaferSight 2 度量系统已被接受用于硅和 SOI 生产，且将成为 Soitec 以后晶片几何度量的一个关键系统。”

　　关于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是为半导体制造及相关行业提供产能管理和制程控制解决方案的企业。该公司总部设在美国加州的圣何塞市，销售及服务网络遍布。KLA-Tencor 跻身于标准普尔 500 强公司之一，并在纳斯达克精选市场上市交易，其股票代码为 KLAC。有关该公司的更多信息，请访问 https://www.kla-tencor.com。

　　WaferSight 2 技术概要

　　集成电路 (IC) 制程中的平面度、卷边和纳米形貌测量的重要性

　　平面度

　　在 45nm 节点，先进的光刻光学技术可将焦深缩小到 100~150nm。更小的焦深对晶片上平面度变化的容差要求更为严格，因此，对于每个更小的技术节点，必须更严格地控制晶片平面度与形状参数。WaferSight 2 可以胜任 45nm 生产，因为它具备次纳米级平面度测量，且其工具到工具匹配度比 WaferSight 1 提高了 200%。此业界性能可帮助晶片制造商提高优率，并帮助芯片制造商降低对所要使用晶片的不确定性与风险。

　　卷边

　　晶片邻近边缘区域(定义为从边缘开始 1mm 至 5mm 的范围内)的几何一致性是制造过程中的一个新挑战，这是因为，与晶片的中心相比，邻近边缘区域存在各种加工差异。由此产生的形状或厚度差异称为卷边 (ERO)。卷边会严重影响在外层区域的光刻焦点控制及该区域的化学机械研磨 (CMP) 一致性。

　　WaferSight 2 的 ERO 测量可提供所需的准确数据，有助于控制晶片边缘区域的卷边效应，并提高晶粒优率。使用 WaferSight 2 可对角度 ERO 差异进行定量分析，晶片供应商之间，以及晶片和晶片内部之间的差异在 ERO 数据中一目了然。这种 ERO 差异会影响 CMP 中边缘覆膜厚度的一致性，因此，控制晶片 ERO 成为实现预期 CMP 性能的关键。

　　纳米形貌

　　纳米形貌是晶片上的纳米级高度差异，它通过测量大约 2mm 至 10mm 的区域得出。国际半导体技术蓝图 (ITRS) 指出，从峰顶到谷底的纳米形貌可能仅有几纳米，因此纳米形貌的会受到测量系统上卡盘效应的影响。WaferSight 2 使用全边缘卡夹的晶片操作系统，在其获取平面度和卷边数据的相同扫描中，会捕捉来自晶片前后两面的无伪差纳米形貌数据，从而消除了卡盘效应。