Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。

　　新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：Si4642DY整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 PCB 寄生电感。

　　新型 Si4642DYSkyFET 功率 MOSFET 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 VRM 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 MOSFET。该新型器件将 30V 击穿电压与 10V 栅极驱动时 3.75 毫欧的 MOSFET 导通电阻进行了完美结合。

　　与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 MOSFET 整合到单个芯片上不仅节省了板面空间，而且还通过三个主要方式提高了器件性能。

　　首先，肖特基二极管中的正向压降 (VF) 远低于 MOSFET 的内在体二极管中的压降。当在降压转换器应用中的停滞时间关闭 MOSFET 时，这将实现极低的功耗。

　　第二个改进是肖特基二极管的反向恢复电荷 (QRR) 比 MOSFET 体二极管的 QRR更低。与标准 MOSFET 体二极管相比，Vishay Siliconix SkyFET 技术可使器件中的 QRR降低几乎 20%，这可在轻负载下提高转换器的效率。

　　，将肖特基二极管整合到 MOSFET 芯片中可消除在将它们作为单独元件安装到 PCB 或共同封装单独 MOSFET 及肖特基二极管元件时存在的寄生电感。与共同封装的等同 MOSFET/肖特基器件相比，Si4642DY可实现更高的效率、更稳定的波长，以及在 4.5V 时低 55% 的导通电阻。

　　目前，Si4642DY控制器的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8～10 周。