IBM公司 和英飞凌技术 (Infineon Technologies) 公司将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中，开发出他们所声称的"迄今的磁性随机存取存储器技术（MRAM）。"
　　两家公司相信，该开发成果将加速MRAM的商品化，并有可能在早至2005年取代当今某些存储器技术。MRAM能导致"即时开启"的计算机问世，从而使用户能像电灯开关那样快速地开启和关闭计算机。
　　这种高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于逻辑的加工工艺制造，据说是迄今报道的MRAM所用的线宽。这种很小的逻辑基能让IBM 公司和英飞凌公司采用1.4平方微米这一的MRAM存储单元尺寸，而1.4平方微米大约是平常铅笔橡皮头的2000万分之一。通过在这种小存储单元内地装配这种磁性结构，IBM 公司和英飞凌公司的研究人员就能控制存储器的读写操作。
　　MRAM是一种采用磁性载荷，而不是电子载荷来存储数据位的存储器技术。它与当前使用的电子存储器相比，能存储更多的信息，存取速度更快，耗电更少，从而能大大改进便携式计算产品的性能。MRAM兼有当今常用存储器技术的某些特性，即DRAM 的存储容量和低 成本，SRAM的高速度，闪存的非易失性。因为MRAM能够在关闭电源后保存信息，因此使用MRAM的个人计算机等产品就能立刻启动，而不需等待软件来"引导"。
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