飞兆推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
出处:电子产品世界 发布于:2007-09-26 09:09:42
飞兆半导体通信和消费产品市务经理Mike Speed 表示:“飞兆半导体的FDD8424H使到显示器设计人员能够对逆变器设计的占位面积和热性能进行优化。相比传统的SO8 封装解决方案,双DPAK封装中优化的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 增强了开关性能,因此能降低热耗及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。”
FDD8424H的主要特性包括:
–优化RDS(ON)和栅极电荷 (Qg) 的组合,提供出色的开关性能
–N沟道提供4.1C/W的同类热阻抗 (θJC),P沟道则为3.5 C/W
–单一封装中集成半桥解决方案,能减小器件占位面积及降低系统总体成本
–P沟道和N沟道MOSFET的共漏连接集成,能简化线路板布局
这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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