可控硅的使用-可控硅用法-可控硅(晶闸管)的特性与使用方法
出处:ywjxx 发布于:2008-10-20 10:24:32
对单向可控硅(晶闸管)来说,当栅极电压达到门限值VGT且栅电流达到门限值IGT时,可控硅(晶闸管)被触发导通。当触发电流的脉宽较窄时,则应提高触发电平。当负载电流超过单向可控硅(晶闸管)的闩电流IL时,即使此时的栅电流减为零,可控硅(晶闸管)仍能维持导通状态。为了保证电路在环境温度下也能正常工作,则要求驱动电路能提供足够高的电压、电流及占空比的控制信号。
高灵敏度的单向可控硅(晶闸管),会在高温下因阳-阴极间的漏电流而误触发,应确保不超过TJMAX。可靠地关断单向可控硅(晶闸管),负载电流必须降到低于保持电流IH,并维持一定的时间。
标准的双向可控硅(晶闸管)既可被栅极的正向电流触发,也能被栅极的反向电流触发,它可以在四个象限内导通。在负载电流为零时,用反相的直流或单极性脉冲的(栅极)电流触发。
在通常的交流相位控制电路中,如电灯调光器和家用马达调速器等,可控硅(晶闸管)G与MT2的极性要一致,在设计可控硅(晶闸管)时要避免在3+区域内工作(MT2为-,G为+)。
值得注意的是,双向可控硅(晶闸管)可能在一些意想不到的情况下触发导通,其后果有些问题不大,而有些则有潜在的破坏性。
1. 栅极上的噪声电平
在有电噪声的环境中,如果栅极上的噪声电压超过VGT,并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈,则也会被触发导通。
应用安装时,首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时,可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1kΩ的电阻来降低其灵敏度,也可以再并联一个100nF的电容,来滤掉高频噪声。
2. 关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅(晶闸管)开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而被迫使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题,可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发。一般,电阻取100W,电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
3. 关于转换电流变化率
当负载电流增大,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
4. 关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率dVD/dt
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制dVD/dt,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
5. 关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上。
欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 什么是GaN 器件外延2024/4/25 16:20:53
- ofdm是什么?ofdm是什么意思?2024/4/24 17:46:38
- 隔离变压器的特点与作用2024/4/8 17:20:17
- lms算法基本思想及原理2024/3/26 18:00:07
- LM393比较器工作原理2024/3/25 17:27:43
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命